Serbuk Silikon Karbida CAS 409-21-2

Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd. ialah salah satu pengeluar dan pembekal serbuk silikon karbida cas 409-21-2 yang paling berpengalaman di China. Selamat datang ke borong serbuk silikon karbida berkualiti tinggi pukal cas 409-21-2 untuk dijual di sini dari kilang kami. Perkhidmatan yang baik dan harga yang berpatutan disediakan.

Serbuk silikon karbidaialah bahan bukan organik dengan formula kimia SiC, CAS 409-21-2. Ia dibuat dengan peleburan bahan mentah suhu tinggi seperti pasir kuarza, kok petroleum (atau kok arang batu), dan habuk papan (garam perlu ditambah apabila menghasilkan karbida silikon hijau) melalui relau rintangan. Ia adalah semikonduktor yang wujud dalam bentuk moissanit mineral yang sangat jarang ditemui dalam alam semula jadi. Sejak tahun 1893, ia telah dihasilkan secara besar-besaran sebagai serbuk dan kristal, digunakan sebagai pelelas, dll. Antara bahan refraktori berteknologi tinggi bukan oksida seperti C, N, dan B, ia adalah yang paling banyak digunakan dan menjimatkan, yang boleh dipanggil pasir keluli atau pasir refraktori. Produk yang dihasilkan oleh industri China dibahagikan kepada dua jenis: karbida silikon hitam dan karbida silikon hijau, kedua-duanya adalah kristal heksagon.

SiC ialah bahan semikonduktor sebatian binari biasa, dengan unit asas struktur kristalnya ialah tetrahedron simetri empat kali ganda, iaitu SiC4 atau CSi4. Jarak antara atom Si atau C bersebelahan ialah 3.08 Å, manakala jarak antara atom C dan Si bersebelahan hanya kira-kira 1 Å 89 Å. [13] Dalam kristal SiC, atom Si dan C membentuk ikatan kovalen tetrahedral yang sangat kuat (tenaga ikatan 4.6 eV) dengan berkongsi pasangan elektron pada orbital hibrid sp3.

Silikon karbida tulen adalah kristal tidak berwarna dan lutsinar. Silikon karbida industri kelihatan sebagai kuning muda, hijau, biru, atau bahkan hitam bergantung pada jenis dan kandungan kekotoran yang terkandung di dalamnya, dan ketelusannya berbeza-beza mengikut ketulenannya. Struktur kristal silikon karbida dibahagikan kepada heksagon atau rombohedral - SiC dan kubik - SiC (dikenali sebagai karbida silikon padu). Disebabkan oleh jujukan susunan atom karbon dan silikon yang berbeza dalam struktur kristalnya, - SiC membentuk banyak varian yang berbeza, dan lebih daripada 70 telah ditemui. - SiC berubah menjadi - SiC di atas 2100 darjah . - SiC ialah bentuk kristal yang paling biasa, manakala - juga dikenali sebagai hablur padu, silikon padu. Sehingga kini, penggunaan komersil - SiC agak terhad, walaupun ia boleh digunakan sebagai pembawa untuk pemangkin heterogen kerana luas permukaannya yang lebih tinggi berbanding - SiC. Kaedah pengeluaran perindustrian silikon karbida adalah untuk menapis{16}}pasir kuarza dan kok petroleum berkualiti tinggi dalam relau rintangan. Blok karbida silikon yang ditapis diproses menjadi produk pelbagai saiz zarah melalui penghancuran,{18}}basuh bes asid, pengasingan magnet, penapisan atau pemilihan air.

Silikon karbida mempunyai empat bidang aplikasi utama, iaitu: seramik berfungsi, bahan refraktori termaju, pelelas, dan bahan mentah metalurgi. Bahan kasar silikon karbida sudah boleh dibekalkan dalam kuantiti yang banyak dan tidak boleh dianggap sebagai produk-berteknologi tinggi, manakala penggunaan skala nanoserbuk silikon karbidadengan kandungan teknologi yang sangat tinggi tidak dapat membentuk skala ekonomi dalam jangka pendek.

 

Aplikasi utama: Digunakan untuk pemotongan wayar silikon monohablur 3-12 inci, silikon polihabluran, kalium arsenida, kristal kuarza, dll. Bahan pemprosesan kejuruteraan untuk industri fotovoltaik suria, industri semikonduktor, dan industri kristal piezoelektrik.
Digunakan dalam bidang seperti semikonduktor, rod kilat, komponen litar,-aplikasi suhu tinggi, pengesan ultraungu, bahan struktur, astronomi, brek cakera, klac, penapis zarah diesel, pyrometer dawai halus, filem seramik, alat pemotong, elemen pemanas, bahan api nuklear, barang kemas, keluli, peralatan pelindung, pembawa pemangkin, dsb.

 

Alat yang melelas dan mengisar:
Terutamanya digunakan untuk mengisar dan menggilap roda pengisaran, kertas pasir, tali pinggang pasir, batu minyak, blok pengisaran, kepala pengisaran, pes pengisaran, serta silikon monohablur, silikon polihablur, dan kristal piezoelektrik dalam industri elektronik untuk produk fotovoltan.

Industri kimia:
Ia boleh digunakan sebagai penyahoksida untuk pembuatan keluli dan pengubah suai untuk struktur besi tuang. Ia juga boleh digunakan sebagai bahan mentah untuk pembuatan silikon tetraklorida dan merupakan bahan mentah utama untuk industri resin silikon.

 

Penyahoksida silikon karbida ialah jenis baru penyahoksida komposit kuat yang menggantikan serbuk silikon tradisional dan serbuk karbon untuk penyahoksidaan. Berbanding dengan proses asal, ia mempunyai sifat fizikal dan kimia yang lebih stabil, kesan penyahoksidaan yang baik, masa penyahoksidaan yang dipendekkan, penjimatan tenaga, kecekapan pembuatan keluli yang lebih baik, kualiti keluli yang lebih baik, penggunaan bahan mentah dan tambahan yang dikurangkan, pencemaran alam sekitar yang berkurangan, keadaan kerja yang lebih baik, dan meningkatkan faedah ekonomi komprehensif relau elektrik, yang kesemuanya mempunyai nilai penting.

 

Bahan konduktif terma:
Kekonduksian terma bahan SiC, seperti kebanyakan pepejal dielektrik, terutamanya dipengaruhi oleh penghantaran gelombang termoelastik (dikenali sebagai fonon). Kekonduksian terma bahan SiC bergantung terutamanya pada: 1) jumlah alat pensinteran, nisbah stoikiometrik, sifat kimia, dan ketebalan sempadan bijian dan kehabluran yang berkaitan; 2) Saiz bijirin; 3) Jenis dan kepekatan atom kekotoran dalam kristal SiC; 4) Suasana pensinteran; 5) Rawatan haba selepas pensinteran, dsb.

SiC mempunyai sifat yang sangat baik seperti kekonduksian terma yang tinggi, jurang jalur lebar, kadar penghijrahan tepu elektron yang tinggi, dan medan elektrik pecahan kritikal yang tinggi.

 

Prestasi komprehensifnya yang cemerlang menebus kekurangan bahan dan peranti semikonduktor tradisional dalam aplikasi praktikal, dan mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam bidang seperti kenderaan elektrik dan cip komunikasi mudah alih. Disebabkan oleh kebolehpercayaan yang lebih tinggi, suhu operasi yang lebih tinggi, saiz yang lebih kecil dan toleransi voltan yang lebih tinggi, SiC boleh digunakan pada peranti kuasa seperti papan pemacu utama, pengecas kereta dan modul kuasa, meningkatkan kecekapan dan meningkatkan julat kenderaan elektrik. Pada masa yang sama, SiC mempunyai kekonduksian terma yang baik, dan penggunaan peranti kuasa semikonduktor SiC boleh mengurangkan saiz bateri dan menukar tenaga dengan lebih berkesan, sekali gus mengurangkan kos peranti pemasangan. Seramik SiC, sebagai bahan seramik berstruktur{3}}berprestasi tinggi, mempunyai sifat terma yang sangat baik dan boleh digunakan secara meluas dalam industri rintangan suhu tinggi, pemanasan dan pertukaran haba.

 

Tiga bahan tahan:
Dengan menggunakan ciri-ciri rintangan kakisan, rintangan suhu tinggi, kekuatan tinggi, kekonduksian terma yang baik dan rintangan hentaman silikon karbida, ia boleh digunakan untuk pelbagai lapisan relau peleburan, komponen relau suhu tinggi-, plat silikon karbida, pelapik, penyokong, senduk, mangkuk pijar silikon karbida, dsb.

 

Sebaliknya,-bahan pemanasan tidak langsung bersuhu tinggi boleh digunakan dalam industri peleburan logam bukan-ferus, seperti relau penyulingan menegak, dulang relau penyulingan, tangki elektrolisis aluminium, pelapik relau lebur tembaga, plat arka untuk relau serbuk zink, tiub perlindungan termokopel, dsb. Digunakan untuk menghasilkan bahan seramik silikon karbida termaju yang tahan haus-, kalis kakisan-dan kalis suhu-tinggi; Ia juga boleh digunakan untuk membuat muncung roket, bilah turbin gas, dan lain-lain. Selain itu, silikon karbida juga merupakan salah satu bahan yang sesuai untuk pemanas air solar di lebuh raya, landasan pesawat, dll.

 

Keluli:
Dengan menggunakan ciri-ciri rintangan kakisan, rintangan kejutan haba, rintangan haus, dan kekonduksian haba yang baik bagi silikon karbida, penggunaannya dalam lapisan relau letupan besar telah meningkatkan hayat perkhidmatannya.

Benefisiasi metalurgi:
Serbuk silikon karbidamempunyai kekerasan kedua selepas berlian dan mempunyai rintangan haus yang kuat. Ia merupakan bahan yang sesuai untuk-talian paip tahan haus, pendesak, ruang pam, siklon dan pelapik corong perlombongan. Rintangan hausnya adalah 5-20 kali lebih lama daripada besi tuang dan getah, dan ia juga merupakan salah satu bahan yang sesuai untuk landasan penerbangan.

 

Penjimatan tenaga:
Dengan menggunakan kekonduksian terma yang baik dan kestabilan sebagai penukar haba, penggunaan bahan api dikurangkan sebanyak 20%, bahan api dijimatkan sebanyak 35%, dan produktiviti meningkat sebanyak 20-30%.
Saiz dan komposisi zarah yang melelas hendaklah mematuhi GB/T2477-83. Kaedah untuk menentukan komposisi saiz zarah bahan pelelas hendaklah mematuhi GB/T2481-83.

 

Barang kemas:
Moissanite sintetik, juga dikenali sebagai moissanit sintetik atau silika karbon sintetik (komposisi kimia SiC), mempunyai serakan 0.104, yang lebih besar daripada berlian (0.044) dan indeks biasan 2.65-2.69 (2.42 untuk berlian). Ia mempunyai kilauan berlian yang sama seperti berlian dan "warna api" yang lebih kuat, lebih dekat dengan berlian daripada mana-mana replika sebelumnya.

Sejarah perkembanganserbuk silikon karbidabahan kristal telah lebih seratus tahun. Pada tahun 1892, Acheson mencipta kaedah untuk mensintesis serbuk SiC menggunakan silikon dioksida dan karbon. Dalam kaedah ini, hasil sampingan ditemui, iaitu helaian-seperti bahan SiC. Walau bagaimanapun, helaian-seperti bahan SiC ini mempunyai ketulenan rendah dan saiz kecil, dan tidak boleh digunakan untuk menyediakan peranti semikonduktor. Sehingga tahun 1955, Lel berjaya mengembangkan kristal SiC yang agak tulen melalui teknologi pemejalwapan, juga dikenali sebagai kaedah Lely. Walau bagaimanapun, disebabkan saiz kecil dan perbezaan prestasi ketara bahan kepingan SiC yang disediakan oleh kaedah Lely, ia tidak boleh menjadi teknologi komersial untuk mengembangkan kristal tunggal SiC.

Dalam tempoh 1978-1981, Tarov dan Tsvetkov membuat penambahbaikan berdasarkan kaedah Lely dengan memasukkan kristal benih ke dalam relau pemejalwapan dan mereka bentuk kecerunan suhu yang sesuai berdasarkan pertimbangan termodinamik dan kinetik untuk mengawal pengangkutan bahan dari sumber SiC ke kristal benih. Proses pertumbuhan ini dipanggil kaedah Lely yang lebih baik, juga dikenali sebagai kaedah sublimasi kristal benih atau kaedah pemindahan wap fizikal (PVT). Orang ramai boleh mendapatkan kristal SiC dengan diameter yang lebih besar dan ketumpatan kecacatan yang lebih rendah melalui kaedah ini. Dengan peningkatan berterusan teknologi pertumbuhan, syarikat yang telah mencapai perindustrian menggunakan kaedah ini termasuk Cree dari Amerika Syarikat Dowcorning, SiCrystal dari Jerman, Nippon Steel dari Jepun dan Shandong Tianyue dan Tianke Heda dari China.

 

Oleh kerana kandungan semula jadi yang rendah, silikon karbida kebanyakannya tiruan. Kaedah biasa ialah mencampurkan pasir kuarza dengan kok, menggunakan silikon dioksida dan kok petroleum di dalamnya, menambah garam dan habuk papan, meletakkannya di dalam relau elektrik, memanaskannya pada suhu tinggi sekitar 2000 darjah C, dan mendapatkan serbuk mikro silikon karbida melalui pelbagai proses kimia.
Silikon karbida (SiC) telah menjadi pelelas penting kerana kekerasannya yang tinggi, tetapi julat penggunaannya melebihi pelelas am. Sebagai contoh, rintangan suhu tinggi dan kekonduksian terma menjadikannya salah satu bahan tanur pilihan untuk tanur terowong atau tanur ulang-alik, dan kekonduksiannya menjadikannya elemen pemanasan elektrik yang penting.

 

Langkah pertama dalam menyediakan produk SiC ialah menyediakan blok peleburan SiC, juga dikenali sebagai zarah SiC. Disebabkan kehadiran C dan superhard, zarah SiC pernah dirujuk sebagai pasir berlian. Walau bagaimanapun, perlu diingatkan bahawa komposisinya berbeza daripada pasir berlian asli (batu delima). Dalam pengeluaran perindustrian, blok peleburan SiC biasanya dibuat daripada bahan mentah seperti kuarza dan kok petroleum, dengan bahan pemulihan tambahan dan bahan buangan. Selepas pengisaran dan proses lain, mereka diadun menjadi bahan relau dengan perkadaran yang munasabah dan saiz zarah yang sesuai (untuk melaraskan kebolehtelapan bahan relau, jumlah habuk papan yang sesuai perlu ditambah, dan apabila menyediakan karbida silikon hijau, jumlah garam yang sesuai perlu ditambah) dan disediakan pada suhu tinggi.

 

Peralatan terma untuk-penyediaan suhu tinggi bagi blok peleburan SiC ialah relau elektrik silikon karbida khusus, yang terdiri daripada bahagian bawah relau, dinding hujung dengan elektrod tertanam pada permukaan dalam, dinding sisi boleh tanggal dan badan teras relau (nama penuh: bahan pemanas bercas elektrik di tengah relau yang biasanya dipasang di tengah relau, serbuk grafit atau kok petroleum dalam bentuk dan saiz tertentu, biasanya berbentuk bulat atau segi empat tepat dua hujungnya disambungkan ke elektrod). Kaedah pembakaran yang digunakan dalam relau elektrik ini biasanya dikenali sebagai pembakaran serbuk terkubur. Sebaik sahaja ia dihidupkan, pemanasan bermula. Suhu teras relau adalah kira-kira 2500 darjah, atau lebih tinggi (2600-2700 darjah).

 

Apabila cas relau mencapai 1450 darjah , sintesis SiC bermula (tetapi SiC terbentuk terutamanya pada Lebih daripada atau sama dengan 1800 darjah ), dan CO dilepaskan. Walau bagaimanapun, apabila suhu lebih besar daripada atau sama dengan 2600 darjah, SiC akan terurai, dan Si yang terurai akan bertindak balas dengan C dalam cas relau untuk membentuk SiC. Setiap kumpulan relau elektrik dilengkapi dengan satu set transformer, tetapi semasa pengeluaran, hanya satu relau elektrik dibekalkan dengan kuasa untuk melaraskan voltan mengikut ciri-ciri beban elektrik untuk mengekalkan kuasa yang pada asasnya tetap. Relau elektrik berkuasa tinggi perlu dipanaskan selama kira-kira 24 jam, dan selepas terputus bekalan elektrik, tindak balas untuk menjana SiC pada dasarnya selesai. Selepas tempoh penyejukan, dinding sisi boleh dikeluarkan, dan kemudian bahan relau boleh dikeluarkan secara beransur-ansur.

Selepas pengkalsinan-suhu tinggi, bahan relau dari luar ke dalam adalah seperti berikut:

 

Bahan tidak bertindak balas (berfungsi sebagai penebat dalam relau), oksigen silikon karbida (bahan separa reaktif, terutamanya terdiri daripada C dan SiO), lapisan ikatan (lapisan bahan terikat rapat, terutamanya terdiri daripada C, SiO2, 40% ~ 60% SiC, dan karbonat Fe, Al, Ca, Mg), lapisan amorfus%%09 (terutamanya SiC0~9). SiC padu atau - SiC, dan selebihnya ialah karbonat C, SiO2, Fe, A1, Ca, Mg), dan lapisan SiC gred kedua (terutamanya terdiri daripada 90%~95% SiC, yang telah membentuk SiC heksagon, tetapi kristalnya kecil dan rapuh). Tidak boleh digunakan sebagai pelelas), gred pertama SiC (kandungan SiC<96%, and it is a coarse crystal of hexagonal SiC or α - SiC), and furnace core graphite.

 

Dalam-lapisan bahan yang disebutkan di atas, bahan tidak bertindak balas dan sebahagian daripada bahan lapisan silikon karbida oksigen biasanya dikumpul sebagai bahan terpakai, manakala bahagian lain daripada bahan lapisan silikon karbida oksigen dikumpulkan bersama bahan amorf, produk sekunder dan beberapa bahan ikatan sebagai bahan kitar semula. Sesetengah bahan ikatan yang diikat rapat, mempunyai saiz blok yang besar, dan mengandungi banyak kekotoran dibuang. Produk gred pertama menjalani klasifikasi, penghancuran kasar, penghancuran halus, rawatan kimia, pengeringan dan penapisan, dan pemisahan magnetik untuk menjadi zarah SiC hitam atau hijau pelbagai saiz zarah. Untuk menghasilkan serbuk mikro silikon karbida,serbuk silikon karbidajuga perlu melalui proses pemilihan air; Untuk membuat produk silikon karbida, mereka juga perlu melalui proses pengacuan dan pensinteran.

Cool tags: serbuk silikon karbida cas 409-21-2, pembekal, pengilang, kilang, borong, beli, harga, pukal, untuk dijual